Dioda dalam bentuk IC Monolitik #12
Dioda dalam IC dibuat dengan menggunakan salah satu struktur transistor dari enam konfigurasi yang mungkin.
Tiga dari enam konfigurasi dioda yang paling banyak digunakan seperti pada gambar berikut.
Ketiga struktur dioda itu dibuat dari struktur transistor dengan jalan menggunakan dioda emitter-base, dengan collector dihubung-singkat pada base (a); dioda emitter-base, dengan collector dibiarkan terbuka (b); dan dioda collector-base, dengan emitter dihubung-terbuka (atau tidak difabrikasi sama sekali) (c). Pemilihan dioda yang akan digunakan tergantung pada aplikasi dan kinerja IC yang diinginnkan.
Dioda-dioda collector-base mempunyai tingkat collector-base voltage-breaking dari collector junction yang lebih besar (minimum 12 volt), dan dioda-dioda collector-base cocok untuk common-cathode diode arrays yang didifusikan ke dalam sebuah isolation island tunggal, seperti gambar berikut ini.
Common-anode diode arrays dapat juga dibuat dengan collector-base diffusion, seperti terlihat pada gambar berikut ini.
Untuk setiap dioda diperlukan daerah isolasi yang terpisah, dan anoda dihubungkan dengan metalisasi.
Difusi dioda emitter-base banyak digunakan untuk fabrikasi dioda yang mempunyai persyaratan reverse-voltage dari IC yang meliwati batas bawah base-emitter breakdown voltage (sekitar 7 volt).
Common-anode diode arrays dapat dengan mudah dibuat dengan difusi emitter-base dengan jalan menggunakan transistor multi-emitter dalam daerah isolasi tunnggal, seperti terlihat pada gambar berikut ini.
Collector bisa terbuka atau dihubung-singkat pada base.
Karakteristik Dioda Karakteristik forward volt-ampere dari tiga macam dioda itu terlihat pada gambar berikut ini.
Karakteristik volt-ampere untuk ketiga macam dioda pada grafik di atas ini.
- base-emitter (collector dihubung-singkat dengan base)
- base-emitter (collector terbuka)
- collector-base (emitter terbuka)
Musik Pelepas Lelah
back
0 Comments:
Post a Comment
<< Home