Latihan Soal UAS #17

• Jangan lupa membaca Tata Tertib UTS dan UAS sebelum masuk ke ruang ujian.
  
• Selamat Belajar Semoga Berhasil
  

1. Terangkan proses fabrikasi IC dengan teknologi MOS untuk sebuah E-MOSFET kanal n, lengkap dengan gambar penampang struktur untuk setiap tahapnya.
2. Jelaskan apa yang dimaksud dengan: (a) lapisan substrat (b) lapisan epitaksial (c) lapisan silikon diolsida (d) photoresist (e) photolithography (f) solid solubility (g) koefisien difusi (h) profil impurity.
3. Gambarkan penampang tegak sebuah wafer yang terdiri dari: lapisan substrat jenis-p, lapisan epitaksial jenis-n, lapisan silikon dioksida. Cantumkan dalam gambar ketebalan masing-masing lapisan itu.
4. Terangkan proses difusi dengan distribusi impuritinya: (a) complementary error function, (b) gaussian distribution.
5. Jelaskan tentang transistor dalam IC dengan buried layer.
6. Konfigurasi dioda dalam IC yang bagaimana yang mempunyai karakteristik volt-ampere terbaik. Jekaskan.
7. Sebuah resistor difusi mempunyai panjang L = 10 mil dan lebar W = 1 mil, sheet resistance Rs = 200 ohm/sq.
   
   
   
   
   (a) Dengan 1 mil line dan 1 mil spacing, gambarkan tampak atas permukaan resistor difusi itu dalam isolation island-nya bila lubang bukaan contact window sebesar 1 mil x 1 mil. (b) Hitunglah luas bidang isolation island-nya. (c) Bila antara silikon dan aluminium ada ohmic contact dengan konduktansi sebesar 0,08 mho/mil2, hitunglah berapa besar resistansi dari resistor difusi itu.
8. Terangkan fabrikasi thin-film resistor.
9. Apa itu kapasitor MOS dalam IC
10. Mengapa diperlukan crossover dalam IC.
11. Bagaimana caranya memfabrikasi sebuah induktor dalam IC
12. Sebuah lapisan epitaksial silikon jenis-n mempunyai resistivitas = 0,1 ohm.cm akan dilakukan difusi boron dengan konsentrasi permukaan yang konstansebesar 4,8 x 10¹⁰ atom/cm³. Kedalaman junction yang diinginkan 2,7 mikrometer.
    (a) Hitung konsentrasi impuriti untuk difusi boron sebagai fungsi jarak dari permukaan.
    (b) Berapa lama waktu yang diperlukan jika difusi ini dilakukan pada 1100^oC.
    (c) Sebuah transistor npn akan diselesaikan dengan melakukan difusi fosfor pada konsentrasi permukaan sebesar 10²¹ atom/cm³. Jika junction baru berada pada kedalaman 2 mikrometer, hitung konsentrasi impuriti untuk fosfor sebagai fungsi jarak dari permukaan.
    (d) Gambarkan grafik profil konsentrasi impuriti sebagai fungsi dari jarak dari permukaan untuk soal (a) dan (c) dengan asumsi bahwa atom-atom boron tidak berubah selama dilakukan difusi fosfor. Kemudian tunjukkan emitter, base, dan collector dalam profil itu.
    (e) Jika difusi fosfor dilakukan selama 30 menit, pada suhu berapa proses difusi itu dikerjakan.
13. Gambarkan sketsa grafik kedua profil impuriti soal No. 4 pada satu sistem salib sumbu.
14. Difusi fosfor dengan kosentrasi permukaan konstan pada suhu 1150^oC selama 60 menit ke dalam substrat silikon jenis-p yang mempunyai resistivitas 1 ohm.com. Konsentrasi permukaan fosfor akan larut terbatas.
    Hitunglah:
    (a) Konsentrasi permukaan fosfor.
    (b) Koefisien difusi fosfor.
    (c) Tingkat doping level boron.
    (d) Kedalaman junction yang terbentuk.
    (e) Kedalamam junction bila lama difusi 15 menit.
    (f) Kedalamam junction bila lama difusi 1 jam.
    (g) Lama difusi kedalaman junction 10 mikrometer.
li>Sebuah lapisan epitaksial silikon jenis-n mempunyai resistivitas = 0,5 ohm.cm yang rata (uniform) akan mengalami difusi boron dengan konsentrasi permukaan = 5 x 10¹⁸ atom/cm³ yang konstan. Jika proses difusi boron itu dilakukan pada suhu 1130^oC selama 2 jam, berapa kedalaman pn junction yang terbentuk di dalam lapisan silikon itu.
15. Lapisan epitaksial silikon jenis-n dengan konsentrasi latar belakang N_BC = 10¹⁶ atom/cm³ mengalami difusi boron dengan konsentrasi permukaan = 10¹⁸ atom/cm³ yang konstan. (a) Agar diperoleh pn junction pada kedalaman 2,7 mikrometer, berapa lama waktu yang diperlukan, jika proses difusi itu dikerjakan pada suhu 1100^oC.
16. Kemudian dilanjutkan dengan difusi fosfor dengan kosentrasi permukaan = 10²¹ atom/cm³ yang konstan. Agar diperoleh pn junction pada kedalaman 2 mikrometer, pada suhu berapa difusi fosfor ini harus dilakukan, kalau waktu yang diperlukan 2 jam 15 menit.
17. Pada soal No. 7 dan No. 8 di atas, tentukan persamaan profil (a) impuriti boron, dan (b) impuriti fosfor.

Musik Pelepas Lelah

• back
  
• This course is not the end. This course is a mean for us to meet the end.